CREE CGHV1J025D 25W放大器现货库存
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Cree是碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶片及 RF 通信设备的供应商。典型应用包括
Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。
SiC 具备的固有优势使得宽带放大器能够用于 UHF、L 频段和 S 频段应用。这些特性包括
这些特点使得 GaN HEMT 成为多倍频程应用中功率 FET 的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器。
深圳市立维创展科技有限公司与Cree原厂直接签约代理销售其全系列射频通信用元器件，可提供COC文件和原厂提供的一切技术与服务支持。一手货源，货期与价格独具优势。
Cree’s CGHV1J025D is a high-voltage, gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) on a silicon-carbide substrate, using a 0.25-μm gate-length fabrication process. This GaN-on-SiC product offers superior high-frequency, high-efficiency features. It is ideal for a variety of applications operating from 10 MHz to 18 GHz at 40 V with a high breakdown voltage.
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