回收芯片，海力士芯片收购
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种类 编辑DFB-LDF-P(法布里-珀罗）腔LD已成为常规产品，向高可靠价化方向发展。DFB-LD的激射波长主要由器件内部制激光二极管
备的微小折射光栅周期决定，依赖沿整个有源层等间隔分布反射的皱褶波纹状结构光栅进行工作。DFB-LD两边为不同材料或不同组分的半导体晶层，一般制作在阱QW有源层附近的光波导区。这种波纹状结构使光波导区的折射率呈周期性分布，其作用像一个谐振控，波长选择机构是光栅。利用QW材料尺寸效应和DFB光栅的选模作用，所激射出的光的谱线很宽，在高速率调制下可动态单纵模输出。内置调制器的DFB-LD满足光发射机小型、功耗的要求。DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素组成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段内，成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研发日趋成熟，国际上仅少数几家厂商可提供商用产品。优化器件结构，有源区为应变超晶格QW。有源区周边一般为双沟掩埋或脊型波导结构。有源区附近的光波导区为DFB光栅，采用一些特殊的设计，如：波纹坡度可调分布耦合、复耦合、吸收耦合、增益耦合、复合非连续相移等结构，提高器件性能。