团簇式PECVD
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该系列PECVD系统具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统,动态衬底温控,全面控制真空系统,采用集中现场控制总线技术的“值守精灵”控制软件,以及友好用户操作界面来操作。适用于室温1400℃条件下进行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料,尤其适合于有机材料上保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
清洗镀膜一气呵成,杜绝二次污染;上开启结构,式样观察方便;触屏人机对话整体性操作,安全可靠;;产品采用全自动控制方式,触摸屏,数字化显示;真空系统、工作压强、电源系统及自动匹配、工艺气体流量、加热系统、运动系统、工艺过程、系统监控及数据采集等。